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內存是頻率高好還是時序低好啊?

朋友們好,我是嬛嬛是一位數碼控,喜歡數碼的朋友們可以和我一起探討!

內存時序,英文是”MemoryTiming“,是描述內存性能的一項參數,一般存儲在內存的SPD中,通常電腦內存時序會標注在內存銘牌上,當然也有些內存品牌不會標注,我們可以在該型號內存參數中查看,或者使用CPU-Z進行查看。

內存時序是描述同步動態隨機存取存儲器性能的四個參數:地址訪問潛伏時間(CL)、行地址到列地址等待時間(TRCD)、行地址預充電時間(TRP)和行地址活動時間(TRAS),單位為時鐘周期,數值越小代表越好,其中CL值,也就是時序當中首個數字是確切的周期數,CL對內存性能的影響是最明顯的

在內存的選項卡中查看CL、TRCD、TRP、TRAS的四個數值。一般來說,我們看內存時序只需要看CL值就可以了,也就是開頭第一組數字,這組數字在同代同頻率下越小越好。

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